前言:
半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè),集成電路又分為邏輯、模擬和存儲等細分行業(yè)。在半導(dǎo)體行業(yè)中,最重要的方向莫過于存儲器。其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,幾乎所有常見的電子設(shè)備都需要使用存儲器。
半導(dǎo)體存儲器件是半導(dǎo)體行業(yè)市場占比最高的分支,根據(jù)WSTS 2019年11月估計數(shù)據(jù),2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模在4000億美元 以上,存儲器的市場規(guī)模超過1000億,是半導(dǎo)體中規(guī)模最大的子行業(yè),占比超過1/4。
DRAM和NAND Flash是最主流的半導(dǎo)體存儲器,市場規(guī)模占比超過95%,價格受需求與供給的影響呈現(xiàn)較為明顯的周期性,2019年下半年價格下落至低點后企穩(wěn)回升,目前在服務(wù)器等下游需求的刺激下,價格正處于向上反彈的階段,根據(jù)集邦咨詢,此上升趨勢有望在下半年趨穩(wěn)。
NOF Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大規(guī)模的利基型存儲,其市場曾隨著功能手機的消亡而逐步萎縮,目前憑借著其“芯片內(nèi)執(zhí)行”的特點在物聯(lián)網(wǎng)、TWS耳機、5G、車載等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,市場規(guī)模整逐步恢復(fù),到2025年市場規(guī)模有望超過40億美元。
半導(dǎo)體存儲器件的主要市場由海外巨頭公司掌握,國產(chǎn)公司處于相對落后的位置,但已經(jīng)在各個細分行業(yè)展開追趕,并已獲得顯著的進展。
存儲行業(yè)的發(fā)展歷程大致可分為3個階段。1990年以前,DRAM為存儲芯片市場上主要的產(chǎn)品,且伴隨少量的EPROM和EEPROM。1990年至2000年,NOR Flash開始逐步占據(jù)一定比例的市場份額。
2000年以后,NAND Flash開始爆發(fā)式增長,其市場規(guī)模直逼DRAM, 而NOR Flash的市場規(guī)模于2006年達到頂峰后開始逐漸下滑,但于近兩年又開始有微小上升趨勢。
DRAM和NAND Flash是最主流的半導(dǎo)體存儲器,市場規(guī)模占比超過95%,價格受需求與供給的影響呈現(xiàn)較為明顯的周期性。
DRAM市場由三星、美光、海力士壟斷了95%的份額,目前國產(chǎn)廠商合肥長鑫已經(jīng)開始量產(chǎn)并在官網(wǎng)上架了相關(guān)產(chǎn)品,紫光集團也已建立DRAM事業(yè)部準備建廠。此外國內(nèi)還有較多DRAM設(shè)計企業(yè),包括收購了ISSI的北京君正等,兆易創(chuàng)新也正在開展DRAM的研發(fā)工作;
NOR Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大規(guī)模的利基型存儲,其市場曾隨著功能手機的消亡而逐步萎縮,目前憑借著其“芯片內(nèi)執(zhí)行”的特點在物聯(lián)網(wǎng)、TWS耳機、5G、車載等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,市場規(guī)模整逐步恢復(fù),到2025年市場規(guī)模有望超過40億美元。
NAND Flash的市場由三星、西數(shù)、鎧俠等6家企業(yè)壟斷。目前NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊,國外先進企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。國產(chǎn)廠商長江存儲已宣布128層產(chǎn)品研發(fā)成功,與國外先進企業(yè)的差距越來越小,已成為存儲國產(chǎn)自主化的中堅力量。國內(nèi)還有SLC NAND的設(shè)計企業(yè),包括北京君正、兆易創(chuàng)新等;
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