前言：

半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，集成電路又分為邏輯、模擬和存儲等細分行業(yè)。在半導(dǎo)體行業(yè)中，最重要的方向莫過于存儲器。其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，幾乎所有常見的電子設(shè)備都需要使用存儲器。

半導(dǎo)體存儲器件是半導(dǎo)體行業(yè)市場占比最高的分支，根據(jù)WSTS 2019年11月估計數(shù)據(jù)，2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模在4000億美元 以上，存儲器的市場規(guī)模超過1000億，是半導(dǎo)體中規(guī)模最大的子行業(yè)，占比超過1／4。

DRAM和NAND Flash是最主流的半導(dǎo)體存儲器，市場規(guī)模占比超過95％，價格受需求與供給的影響呈現(xiàn)較為明顯的周期性，2019年下半年價格下落至低點后企穩(wěn)回升，目前在服務(wù)器等下游需求的刺激下，價格正處于向上反彈的階段，根據(jù)集邦咨詢，此上升趨勢有望在下半年趨穩(wěn)。

NOF Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大規(guī)模的利基型存儲，其市場曾隨著功能手機的消亡而逐步萎縮，目前憑借著其“芯片內(nèi)執(zhí)行”的特點在物聯(lián)網(wǎng)、TWS耳機、5G、車載等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，市場規(guī)模整逐步恢復(fù)，到2025年市場規(guī)模有望超過40億美元。

半導(dǎo)體存儲器件的主要市場由海外巨頭公司掌握，國產(chǎn)公司處于相對落后的位置，但已經(jīng)在各個細分行業(yè)展開追趕，并已獲得顯著的進展。

存儲行業(yè)的發(fā)展歷程大致可分為3個階段。1990年以前，DRAM為存儲芯片市場上主要的產(chǎn)品，且伴隨少量的EPROM和EEPROM。1990年至2000年，NOR Flash開始逐步占據(jù)一定比例的市場份額。

2000年以后，NAND Flash開始爆發(fā)式增長，其市場規(guī)模直逼DRAM， 而NOR Flash的市場規(guī)模于2006年達到頂峰后開始逐漸下滑，但于近兩年又開始有微小上升趨勢。

DRAM和NAND Flash是最主流的半導(dǎo)體存儲器，市場規(guī)模占比超過95％，價格受需求與供給的影響呈現(xiàn)較為明顯的周期性。

DRAM市場由三星、美光、海力士壟斷了95％的份額，目前國產(chǎn)廠商合肥長鑫已經(jīng)開始量產(chǎn)并在官網(wǎng)上架了相關(guān)產(chǎn)品，紫光集團也已建立DRAM事業(yè)部準備建廠。此外國內(nèi)還有較多DRAM設(shè)計企業(yè)，包括收購了ISSI的北京君正等，兆易創(chuàng)新也正在開展DRAM的研發(fā)工作；

NOR Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大規(guī)模的利基型存儲，其市場曾隨著功能手機的消亡而逐步萎縮，目前憑借著其“芯片內(nèi)執(zhí)行”的特點在物聯(lián)網(wǎng)、TWS耳機、5G、車載等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，市場規(guī)模整逐步恢復(fù)，到2025年市場規(guī)模有望超過40億美元。

NAND Flash的市場由三星、西數(shù)、鎧俠等6家企業(yè)壟斷。目前NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。國產(chǎn)廠商長江存儲已宣布128層產(chǎn)品研發(fā)成功，與國外先進企業(yè)的差距越來越小，已成為存儲國產(chǎn)自主化的中堅力量。國內(nèi)還有SLC NAND的設(shè)計企業(yè)，包括北京君正、兆易創(chuàng)新等；